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【干貨】帶你解鎖AC／DC、DC／DC轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)式AC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)二極管電橋?qū)C電壓進(jìn)行整流，再通過(guò)電容器實(shí)施平滑處理，將AC電壓轉(zhuǎn)換為DC電壓。然后，通過(guò)開(kāi)關(guān)元件對(duì)該DC電壓進(jìn)行斬波（ON/OFF）后，通過(guò)高頻變壓器降壓后傳遞到2次側(cè)，再利用電容器進(jìn)行平滑處理，輸出規(guī)定的DC電壓（VDC）。
2022-11-29
AC／DC轉(zhuǎn)換器 DC／DC轉(zhuǎn)換器
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【干貨】拋開(kāi)教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開(kāi)；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡(jiǎn)單。
2022-11-28
MOS管
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高壓電動(dòng)汽車(chē)的低壓電池監(jiān)控
如果您還沒(méi)有駕駛電動(dòng)汽車(chē) （EV）——混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē) （HEV）、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)（PHEV） 或全電動(dòng)汽車(chē)——那么很有可能，您可能很快就會(huì)駕駛。里程焦慮已成為過(guò)去。您現(xiàn)在可以幫助保護(hù)環(huán)境，而不必?fù)?dān)心被困在其中。世界各國(guó)政府提供慷慨的財(cái)政激勵(lì)措施來(lái)抵消電動(dòng)汽車(chē)的溢價(jià)，希望引導(dǎo)您遠(yuǎn)離購(gòu)買(mǎi)內(nèi)...
2022-11-28
電動(dòng)汽車(chē) 低壓電池監(jiān)控
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降低工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中陶瓷電容器的電源要求
在過(guò)去幾年中，多層陶瓷電容器（MLCC）的價(jià)格急劇上漲，跟蹤了汽車(chē)，工業(yè)，數(shù)據(jù)中心和電信行業(yè)中使用的電源數(shù)量的擴(kuò)展。陶瓷電容器用于輸出端的電源中，以降低輸出紋波，并控制由于高壓擺率負(fù)載瞬變引起的輸出電壓過(guò)沖和欠沖。輸入端需要陶瓷電容器進(jìn)行去耦和濾除EMI，因?yàn)樗鼈冊(cè)诟哳l下具有低ESR和...
2022-11-28
工業(yè)應(yīng)用 汽車(chē)應(yīng)用 陶瓷電容器
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多電源IC的上電時(shí)序控制你搞明白了么？
人們常常想當(dāng)然地為PCB的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無(wú)損閂鎖狀況。這些問(wèn)題可能并不突出，直到量產(chǎn)開(kāi)始，器件和設(shè)計(jì)的容差接受檢驗(yàn)時(shí)才被發(fā)現(xiàn)，但為時(shí)已晚，項(xiàng)目和產(chǎn)品的時(shí)間及交貨將會(huì)受到極大影響，成本大幅攀升。為了解決這一階段中發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤，將需要進(jìn)行大量修改，包括PCB布局...
2022-11-28
多電源IC 電時(shí)序控制
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利用先進(jìn)的電源管理技術(shù)滿(mǎn)足5G通信和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用需求
縱觀日益先進(jìn)的通信世界，當(dāng)今電力電子產(chǎn)品中頗具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用面臨尺寸、重量和功率(SWaP)等技術(shù)障礙。幾乎所有的應(yīng)用似乎都在變得更小、更輕，同時(shí)需要更高的功率，優(yōu)化SWaP的需求正在以多種新的方式推動(dòng)電力電子行業(yè)的發(fā)展。電源管理技術(shù)在當(dāng)今的數(shù)據(jù)中心和通信行業(yè)的創(chuàng)新中發(fā)揮著重要作用。
2022-11-28
電源管理技術(shù) 5G通信 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用
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談?wù)劅衢T(mén)的氧化鎵
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過(guò)去十年中，研究活動(dòng)增加...
2022-11-28
氧化鎵
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