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中國微電子產(chǎn)業(yè)的第三波浪潮
改革開放以來，中國微電子產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷過三次快速發(fā)展期，第一次為2000年前，以新濤科技被IDT8500萬美元收購為代表，新濤科技的成功具有一定的偶然性，因為新濤的主體運作在硅谷，只是研發(fā)在上海，兩頭在外，將新濤科技的成功作為中國本土微電子的成功起步并不過分，目前新濤科技創(chuàng)始人楊崇和二次創(chuàng)業(yè)上...
2009-11-27
微電子產(chǎn)業(yè) 山寨產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)
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達虹投資觸控面板新生產(chǎn)線 友達8.5代線新廠復(fù)工
達虹將計劃投資250億元在中科投資興建新廠，用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板，預(yù)計于2011年量產(chǎn)。而友達原定要于明年下半年才復(fù)工的第2條8.5代線新廠，據(jù)悉也已于近期提早復(fù)工。
2009-11-27
達虹 投資 觸控面板 友達 復(fù)工
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ACS710：Allegro推出120kHz帶寬的電流傳感器
ACS710 120-kHz帶寬高壓隔離電流傳感器IC主要針對工業(yè)、商業(yè)以及通信系統(tǒng)。器件由精確線性霍爾傳感器和位于硅芯片表面附件的銅導(dǎo)體組成。性能包括用于低功耗和用戶可調(diào)的過流故障電平的3~5.5V單電源運行1mΩ初級導(dǎo)體電阻。
2009-11-26
ACS710 電流傳感器 Allegro 帶寬
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GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計劃2012年春季正式投產(chǎn)”
日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關(guān)部介紹說，計劃2010年10月開工建設(shè)，“2012年春季正式投產(chǎn)”。
2009-11-26
GS湯淺 鋰電池工廠 正式投產(chǎn) 2012
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三年后我國半導(dǎo)體市場全球最牛 將趕超美國
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國作為終端用戶市場，將變得越來越重要。”他表示，傳統(tǒng)上中國是制造業(yè)大國，不是消費大國，但他預(yù)計，三年后中國市場將高出美國市場近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場 全球最牛 趕超美國
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群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過三合一合并方案
據(jù)臺灣媒體報道，全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱，該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時董事會，通過三合一合并案。三家公司預(yù)計明年元月6日召開股東臨時會通過合并案，三合一合并基準日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽能電池使轉(zhuǎn)換效率達30％以上
在太陽能電池領(lǐng)域，瞄準下下代太陽能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽能電池 硅納米線 EUV曝光
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國電子報：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點
近日，企業(yè)第三季度財報紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢進一步明朗化。但由于企業(yè)上升動力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點 中國電子報
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