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高速線纜仿真解決方案
隨著5G時(shí)代的到來(lái)，高速線纜已經(jīng)成為系統(tǒng)中必不可少的一部分。線纜的設(shè)計(jì)由原來(lái)的只是完成物理連接的目的，朝著高性能、高可靠性、小型化、多樣化、高精度、低成本等方向發(fā)展。有沒(méi)有什么辦法可以快速建立線纜模型并評(píng)估線纜的信號(hào)質(zhì)量？有沒(méi)有一種可靠的方法，能夠快速獲取線纜與連接器對(duì)于整個(gè)系...
2021-09-01
高速線纜 仿真 解決方案
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Dialog為OceanMedallion可穿戴設(shè)備提供具備WiRa功能的芯片解決方案
中國(guó)北京，2021年8月24日 – 領(lǐng)先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙（BLE）、工業(yè)邊緣計(jì)算解決方案供應(yīng)商Dialog半導(dǎo)體公司（德國(guó)證券交易所交易代碼：DLG）今天宣布，嘉年華郵輪集團(tuán)（Carnival Corporation）將在其OceanMedallion?可穿戴設(shè)備中采用Dialog的無(wú)線測(cè)距WiRa?技術(shù)，實(shí)現(xiàn)近距離定位功能...
2021-09-01
嘉年華郵輪 可穿戴設(shè)備 芯片方案
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如何判斷電感飽和？
磁芯在磁場(chǎng)的作用下會(huì)被磁化，其內(nèi)部磁疇會(huì)慢慢旋轉(zhuǎn)；當(dāng)磁芯被完全磁化時(shí)，磁疇方向全部和磁場(chǎng)一致，即使再增加外磁場(chǎng)，磁芯也沒(méi)有可以旋轉(zhuǎn)的磁疇了，此時(shí)的電感就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。
2021-08-30
電感飽和
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芯和半導(dǎo)體發(fā)布基于微軟Azure的EDA云平臺(tái)
2021年8月**日，中國(guó)上海訊——國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，芯和半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”）在美國(guó)圣何塞舉行的2021年DesignCon大會(huì)上，正式發(fā)布其基于微軟Azure的EDA云平臺(tái)。
2021-08-30
芯和半導(dǎo)體 Azure EDA云平臺(tái)
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什么樣的PCB才能承受住100 A的電流？
通常的PCB設(shè)計(jì)電流都不會(huì)超過(guò)10 A，甚至5 A。尤其是在家用、消費(fèi)級(jí)電子中，通常PCB上持續(xù)的工作電流不會(huì)超過(guò)2 A。但是最近要給公司的產(chǎn)品設(shè)計(jì)動(dòng)力走線，持續(xù)電流能達(dá)到80 A左右，考慮瞬時(shí)電流以及為整個(gè)系統(tǒng)留下余量，動(dòng)力走線的持續(xù)電流應(yīng)該能夠承受100 A以上。
2021-08-25
PCB 電流
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聊聊汽車級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機(jī)械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機(jī)械繼電器相比，這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性，更快的切換時(shí)間，沒(méi)有切換彈跳以及更小的尺寸。但是隨著這些優(yōu)點(diǎn)的出現(xiàn)，帶來(lái)了使設(shè)計(jì)人員和用戶不愿使用固態(tài)繼電器的缺點(diǎn)。
2021-08-25
汽車級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器 分立MOSFET
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康普觀點(diǎn)：體育場(chǎng)館穩(wěn)步恢復(fù)，5G賦能更佳觀賽體驗(yàn)
隨著全球大部分地區(qū)的封鎖限制日漸放寬，人們的日常生活也在逐步地回歸往昔。疫情影響下，許多大型集會(huì)被迫暫停，其中最令人懷念的就是在現(xiàn)場(chǎng)觀看緊張刺激的體育比賽?，F(xiàn)下，多地的賽事組織者和協(xié)會(huì)正籌劃重啟大型體育賽事，屆時(shí)將會(huì)吸引到大量觀眾的參與。在觀看包括奧運(yùn)會(huì)、足球等賽事時(shí)，越來(lái)越...
2021-08-24
康普 5G 觀賽體驗(yàn)
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會(huì)碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來(lái)描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語(yǔ)來(lái)溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡(jiǎn)析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
- 高性能差分信號(hào)路由：CBMG709在工業(yè)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用
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