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汽車電子

被動(dòng)元器件技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展論壇隆重召開(kāi)

10月13日，“第三屆國(guó)際被動(dòng)元件技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展論壇PCF2008”在深圳大中華喜來(lái)登酒店隆重開(kāi)幕。村田、威世、TDK、太陽(yáng)誘電、順絡(luò)等國(guó)內(nèi)外被動(dòng)元器件代表企業(yè)參與了本次大會(huì)，來(lái)自電子行業(yè)的近四百名技術(shù)人員與各業(yè)界資深專家一起探討被動(dòng)元件行業(yè)技術(shù)動(dòng)向和市場(chǎng)趨勢(shì)。

2008-10-14

被動(dòng)元件技術(shù) 無(wú)源電子元件電阻電感磁珠 LTCC

單電源運(yùn)算放大器的偏置與去耦電路設(shè)計(jì)

目前在許多手持設(shè)備、汽車以及計(jì)算機(jī)等設(shè)備只用單電源供電，但是單電源容易出現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題，因此需要在電路外圍增加輔助器件以提高穩(wěn)定性。在這樣的電路中有一些嚴(yán)重的局限性。本文介紹單電源運(yùn)算放大器的偏置與去耦電路設(shè)計(jì)的方法解決這些問(wèn)題。

2008-10-14

偏置電路旁路信號(hào) SGM8541 去耦電路

PA-Cap○R聚合物片式疊層鋁電解電容器的特點(diǎn)及其應(yīng)用

新型電容器——PA-Cap聚合物片式疊層鋁電解電容器，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到或接近國(guó)際先進(jìn)水平，具有超越現(xiàn)有液體鋁電解電容器和固體鉭電解電容器的卓越電性能；穩(wěn)定的頻率特性和溫度特性，寬溫長(zhǎng)壽命高可靠性。廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、平板顯示器、移動(dòng)DVD、通訊電源、汽車電子、儀器儀表等高端數(shù)字化電子中。

2008-10-14

固體電解電容器 DC/DC轉(zhuǎn)換器濾波 PA-Cap

使用雙極晶體管進(jìn)行鋰離子電池充電

隨著便攜式手持設(shè)備(如手機(jī)、PDA等)的功能不斷增加，加上對(duì)較小體積與更長(zhǎng)電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點(diǎn)討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。

2008-10-14

雙極晶體管鋰電池 USB Zetex

汽車電子組件：一個(gè)正在發(fā)展的市場(chǎng)

汽車中出現(xiàn)的電子設(shè)備和系統(tǒng)越來(lái)越多，而它們也是汽車功能創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)力。汽車廠商正在越來(lái)越多地使用電子系統(tǒng)和半導(dǎo)體集成電路用于汽車的各種應(yīng)用，包括駕駛員信息和通信、車內(nèi)娛樂(lè)電子設(shè)備、傳動(dòng)系和身體控制電子設(shè)備以及汽車安全和舒適設(shè)備。

2008-10-13

汽車電子

LED外延芯片滯后產(chǎn)業(yè)化規(guī)模尚未形成

據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)分析，2004~2007年，中國(guó)大陸LED出口逐年上升，出口量從2004年的122億只，增長(zhǎng)到2007年的312億只，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)36.7%；出口額從2004年的5.9億元，增長(zhǎng)到2007年的20.3億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)51.0%。2008年上半年，已出口LED257億只，出口金額達(dá)12.7億美元。預(yù)計(jì)2008年全年可實(shí)現(xiàn)出口量...

2008-10-13

LED

我國(guó)將采取多項(xiàng)措施推進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化

國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)副主任張曉強(qiáng)12日說(shuō)，為促進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，中國(guó)今后將進(jìn)一步優(yōu)化高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的環(huán)境，進(jìn)一步發(fā)揮政府的引導(dǎo)和推動(dòng)作用、突出企業(yè)的主體地位，積極支持創(chuàng)新型企業(yè)實(shí)施高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重大項(xiàng)目。

2008-10-13

高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)

本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工藝

運(yùn)放式射頻放大器

本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。

2008-10-12

運(yùn)放射頻 CFB

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