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引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實(shí)現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容 [1-4]。本...
2023-03-27
空氣間隙 寄生電容
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助力采用MCU的自主系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)自主安全性
人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）技術(shù)在自主性日益增強(qiáng)的系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越普遍，這將提高各行各業(yè)對更智能的安全系統(tǒng)的要求。關(guān)注重點(diǎn)已經(jīng)從節(jié)約成本轉(zhuǎn)向給用戶帶來便利性和安全性。這需要一個(gè)完整的功能安全（FuSa）層，其中包括安全協(xié)處理器與可信的輸入/輸出控制器，兩者協(xié)同工作來保護(hù)系統(tǒng)。單...
2023-03-27
MCU 自主系統(tǒng) 人工智能
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為什么測量精度對 EV 性能至關(guān)重要
使用傳感器測量電路中不同的功率相關(guān)參數(shù)時(shí)，會(huì)遇到不同的挑戰(zhàn)。主要挑戰(zhàn)是保持傳感器和電源電路之間的電氣隔離，以防止電源電路波動(dòng)對測量的影響。高效隔離還有助于保持高頻開關(guān)電路中的測量精度，該電路極易受到這些高頻開關(guān)通過接地環(huán)路產(chǎn)生的噪聲的影響。
2023-03-25
測量精度 EV 性能
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拆分和仲裁雙向串行總線
雙向總線（例如，I 2 C、SMBus 和 LIN）在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中已變得無處不在，部分原因在于它們的簡單性。僅使用兩條線——數(shù)據(jù)線和時(shí)鐘線——多個(gè)設(shè)備就可以相互通信。根據(jù)I 2 C總線規(guī)范，多128個(gè)設(shè)備可以共享相同的數(shù)據(jù)和時(shí)鐘線；這是通過在每個(gè)設(shè)備上使用外部上拉電阻和開漏驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)的。如果沒有設(shè)...
2023-03-25
拆分 仲裁 雙向串行總線
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生成與模擬電壓的平方根成反比的脈沖寬度
盡管單穩(wěn)態(tài)僅需進(jìn)行此修改即可發(fā)揮作用，但圖 1中IC 1、 IC 2和 IC 3的邏輯電路 增加了另一個(gè)功能。添加的邏輯可確保發(fā)生器忽略進(jìn)入單穩(wěn)態(tài)繁忙狀態(tài)的下一個(gè)觸發(fā)脈沖。
2023-03-24
模擬電壓 平方根 脈沖寬度
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串聯(lián)連接的 MOSFET 可提高電壓和功率處理能力
當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載時(shí)，浪涌電流如果不加以限制，對于高壓電源來說可以達(dá)到幾十或幾百安培。一般來說，電源的額定值可能會(huì)瞬態(tài)超過許多倍，但當(dāng)瞬態(tài)持續(xù)幾個(gè)交流線路周期時(shí)，這通常是可以接受的。這對于高達(dá)幾百微法的負(fù)載電容是典型的，但對于數(shù)千微法的負(fù)載電容，浪涌電流限制器是必須的。
2023-03-24
串聯(lián)連接 MOSFET 電壓
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米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對策
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？
2023-03-24
米勒電容 米勒效應(yīng) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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