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揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造上都獲...
2023-05-06
碳化硅 芯片設(shè)計(jì) 安森美
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相信光！6款光學(xué)解決方案，每一款都能讓你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)自帶光芒！
對于電子工程師來說，自己的設(shè)計(jì)能夠在眾多競品中脫穎而出，無疑是令人興奮的事。想要修煉到這個(gè)境界，簡單地堆料肯定不行，找到創(chuàng)新技術(shù)的加持才是不二法門。如果要拉個(gè)清單，盤點(diǎn)一下有哪些創(chuàng)新技術(shù)值得關(guān)注，相信“光學(xué)技術(shù)”應(yīng)該是榜上有名。
2023-05-06
光學(xué)方案 激光二極管 傳感器
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DSP 中數(shù)字下變頻的基礎(chǔ)知識
數(shù)字下變頻是一種數(shù)字信號處理技術(shù)，廣泛用于數(shù)字無線電接收機(jī)。本文將回顧數(shù)字下變頻器 (DDC) 的基礎(chǔ)知識。我們將首先了解使用 DDC 而不是模擬對應(yīng)物的優(yōu)勢。然后，我們將討論一個(gè)示例并探索 DDC 的基本操作。
2023-05-05
DSP 數(shù)字下變頻
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將無線充電提升到新水平
傳統(tǒng)的無線充電技術(shù)，包括基于 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，由于效率低下且只能在較低功率水平下運(yùn)行，因此實(shí)際上僅適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療植入物和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品等小型設(shè)備。它們的低效率意味著它們在碳排放方面對環(huán)境不友好，而且它們產(chǎn)生的熱量會(huì)減慢充電速度，因此必須進(jìn)行散熱。
2023-05-05
無線充電 可穿戴設(shè)備
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在高速 ADC 中增加 SFDR 的局限性
我們還將了解 ADC 中 SFDR 和SNR（信噪比）之間的一般權(quán)衡，并為以后有關(guān)應(yīng)用抖動(dòng)技術(shù)改善 ADC SFDR 的有趣討論奠定基礎(chǔ)。抖動(dòng)是一種有意向 ADC 輸入添加適當(dāng)噪聲分量以改善 AD 轉(zhuǎn)換系統(tǒng)某些性能方面的技術(shù)。認(rèn)為添加噪聲可以改善 SFDR 這聽起來很神奇。
2023-05-05
高速 ADC SFDR
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什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
禁帶寬度和電場強(qiáng)度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導(dǎo)率和熔點(diǎn)越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關(guān)速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢。
2023-05-05
寬禁帶半導(dǎo)體
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解析直流偏壓現(xiàn)象
在構(gòu)建多層陶瓷電容器（MLCC）時(shí)，電氣工程師們通常會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇兩類電介質(zhì)——1類，非鐵電材料介質(zhì)，如C0G/NP0；2類，鐵電材料介質(zhì)，如X5R和X7R。它們之間的關(guān)鍵區(qū)別在于，隨著電壓和溫度的提升，電容是否還具備良好的穩(wěn)定性。
2023-05-05
直流偏壓
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