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兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash GD25LX256E斬獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎
中國北京（2019年10月25日） — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
2019-10-28
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設(shè)計與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動設(shè)備提供無與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲解決方案，將主流市場上的移動存儲提高到新檔次。
2018-09-20
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大咖秀 | PLD/FPGA結(jié)構(gòu)與原理，其實很簡單
采用這種結(jié)構(gòu)的PLD芯片有：Altera的MAX7000，MAX3000系列（EEPROM工藝）,Xilinx的XC9500系列（Flash工藝）和Lattice,Cypress的大部分產(chǎn)品（EEPROM工藝）。
2018-03-22
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美高森美以量產(chǎn)版本主流Flashtec PCIe控制器加速行業(yè)轉(zhuǎn)向企業(yè)級PCIe SSD
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布了Flashtec? NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量產(chǎn)版本，推動全球范圍主要的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)高成本效益和高功效的大容量固態(tài)硬盤(SSD)。
2017-08-14
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
2017-07-26
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圖示如何破解單片機解密芯片
單片機(MCU)一般都有內(nèi)部EEPROM/FLASH供用戶存放程序和工作數(shù)據(jù)。什么叫單片機解密呢?如果要非法讀出里的程式，就必需解開這個密碼才能讀出來，這個過程通常稱為單片機解密或芯片加密。
2017-04-21
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學了這么久的嵌入式，這個參數(shù)存儲訣竅你或許還不知道
如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？
2017-03-13
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8位單片機中的經(jīng)典之作，51單片機使用心得分享
雖然現(xiàn)在16位32位的單片機越來越多，但51單片機依然是8位單片機中的經(jīng)典之作。這是對所有兼容Intel 8031指令系統(tǒng)的單片機的統(tǒng)稱，該系列的始祖是Intel的8004單片機，后來隨著Flash rom技術(shù)的發(fā)展，8004單片機取得了長足的進展，成為應(yīng)用最廣泛的8位單片機之一。
2016-09-08
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現(xiàn)
目前，存儲領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現(xiàn)，從總體上較CPU固件實現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內(nèi)存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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剖析分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起的退化分量，簡單粗暴！
了解退化分量的絕對影響和相對影響有助于確定限制SuperFlash耐擦寫次數(shù)的最關(guān)鍵因素，進而對單元工藝和/或工作條件做出相應(yīng)的優(yōu)化。故本文提出了一種簡單快速的方法來分析SuperFlash分離柵極存儲單元中循環(huán)擦寫引起的退化分量。
2015-07-29
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SST與GLOBALFOUNDRIES共同推出非易失性存儲器，實現(xiàn)低功耗、低成本、高可靠性
2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其全資子公司Silicon Storage Technology（SST）與GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認證并開始向市場供貨，該產(chǎn)品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺。
2015-05-15
- 國產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽FC-LxxM系列實現(xiàn)寬電壓全場景覆蓋
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