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如何通過(guò)優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來(lái)的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來(lái)像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)，你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響，以及如何通過(guò)優(yōu)化芯片位置和模塊布局來(lái)減輕這種影響?，F(xiàn)在，讓我們來(lái)看看...
2023-04-10
模塊布局 芯片 電氣性能
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RS-485基礎(chǔ)知識(shí)：何時(shí)需要端接，以及如何正確端接
RS-485 網(wǎng)絡(luò)的許多信號(hào)完整性和通信問(wèn)題都源于端接，這可能是因?yàn)槿鄙俣私踊蚨私硬徽_。在 RS-485 基礎(chǔ)知識(shí)系列的這一部分，我將討論何時(shí)不需要端接 RS-485 網(wǎng)絡(luò)，以及在需要端接時(shí)如何使用標(biāo)準(zhǔn)（并聯(lián)）端接和交流電 (AC) 端接網(wǎng)絡(luò)。
2023-04-07
RS-485 端接
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不勞開(kāi)發(fā)固件了！用這個(gè)控制器可實(shí)現(xiàn)USB-C PD 3.0 PPS
更大的顯示屏、更強(qiáng)的性能和更高的數(shù)據(jù)吞吐量是 5G 智能手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)，它推動(dòng)了對(duì)更大電池容量和快速充電能力的需求。如何突破傳統(tǒng)的充電方式是設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn)，因?yàn)閭鹘y(tǒng)充電方式效率低下，而消費(fèi)者對(duì)快速充電的期望又越來(lái)越高，所以在滿足這一需求的功率水平下就可能會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱過(guò)度。
2023-04-07
控制器 USB-C PD 智能手機(jī)
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如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)
尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
IGBT模塊 布局 芯片
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低成本無(wú)刷直流電機(jī)控制MCU
電機(jī)對(duì)能耗的貢獻(xiàn)率在美國(guó)接近50%，因此降低電機(jī)能耗能有效地提高能源利用率，而采用先進(jìn)的微控制器（MCU）技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制是一種有效的方法。本文介紹了的電機(jī)控制MCU技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用。
2023-04-04
無(wú)刷直流電機(jī) 電機(jī)控制 MCU
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并聯(lián)穩(wěn)壓器緩解電源啟動(dòng)問(wèn)題
電阻器 R一個(gè) 通過(guò) RD、并聯(lián)穩(wěn)壓器 IC1，二極管 D1和晶體管 Q1 構(gòu)成低負(fù)載串聯(lián)通調(diào)節(jié)偏置電源。選擇這些元件以產(chǎn)生 Q 的電壓1 落在 IC 之間的發(fā)射器1的關(guān)斷電壓和整流輔助偏置繞組輸出產(chǎn)生的標(biāo)稱電壓 VAUX_NOM.實(shí)際上，IC上的電壓1的 V抄送 引腳以有線或方式跟隨，以較高者為準(zhǔn)：VAUX_NOM 或晶體管Q...
2023-04-04
并聯(lián)穩(wěn)壓器 電源啟動(dòng)
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阻抗頻率特性與敲擊信號(hào)
在昨天，通過(guò)掃頻的方法分別測(cè)量了兩個(gè)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器在不同頻率下的阻抗。?兩個(gè)揚(yáng)聲器中小型揚(yáng)聲器， 直流阻抗為4歐姆。?另外一個(gè)是大型低頻揚(yáng)聲器，直流電阻為8歐姆。?前天，通過(guò)施加階躍電壓測(cè)量了揚(yáng)聲器單位沖激響應(yīng)信號(hào)。?通常情況下， 揚(yáng)聲器可以看成一個(gè)近似線性時(shí)不變系統(tǒng)。?它的單位沖激響應(yīng)...
2023-04-04
阻抗 頻率特性 敲擊信號(hào)
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝
電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。
2023-04-03
MOSFET 散熱 封裝
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基于碳化硅的25kW電動(dòng)汽車(chē)直流快充開(kāi)發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格
隨著消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的需求和訴求持續(xù)增強(qiáng)，直流快速充電市場(chǎng)在蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求也在增加。預(yù)測(cè)未來(lái)五年的年復(fù)合增長(zhǎng)率 (CAGR) 為20%至30%。如果您是在電力電子領(lǐng)域工作的一名應(yīng)用、產(chǎn)品或設(shè)計(jì)工程師，遲早會(huì)參與到這新的充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。
2023-04-03
SiC 電動(dòng)汽車(chē) 直流快充
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