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LDO參數(shù)指標(biāo)淺談
在整個電子產(chǎn)品設(shè)計中，電源部分是整個產(chǎn)品正常運行發(fā)揮最佳性能的基礎(chǔ)。一個復(fù)雜的電源系統(tǒng)，會經(jīng)過多種電壓之間的轉(zhuǎn)換，在我們初始設(shè)計時會比較關(guān)心輸入電壓范圍，輸出電壓值和輸出電流最大是多少，但是否只需要了解這些參數(shù)就夠了呢，顯然不是。
2023-03-29
LDO 參數(shù)指標(biāo)
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哪些原因會導(dǎo)致 BGA 串?dāng)_？
在多門和引腳數(shù)量眾多的集成電路中，集成度呈指數(shù)級增長。得益于球柵陣列 (ball grid array ，即BGA) 封裝的發(fā)展，這些芯片變得更加可靠、穩(wěn)健，使用起來也更加方便。BGA 封裝的尺寸和厚度都很小，引腳數(shù)則更多。然而，BGA 串?dāng)_嚴(yán)重影響了信號完整性，從而限制了 BGA 封裝的應(yīng)用。下面我們來探討一...
2023-03-29
BGA 串?dāng)_
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SiC器件如何推動EV市場發(fā)展
汽車子系統(tǒng)的設(shè)計師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來延長 EV 的續(xù)航里程并縮短充電時間。在實現(xiàn)這些目標(biāo)的過程中，他們將基于硅的技術(shù)在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限，因而需要轉(zhuǎn)向碳化硅（SiC）來幫助其應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
2023-03-27
SiC器件 EV
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為什么測量精度對 EV 性能至關(guān)重要
使用傳感器測量電路中不同的功率相關(guān)參數(shù)時，會遇到不同的挑戰(zhàn)。主要挑戰(zhàn)是保持傳感器和電源電路之間的電氣隔離，以防止電源電路波動對測量的影響。高效隔離還有助于保持高頻開關(guān)電路中的測量精度，該電路極易受到這些高頻開關(guān)通過接地環(huán)路產(chǎn)生的噪聲的影響。
2023-03-25
測量精度 EV 性能
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拆分和仲裁雙向串行總線
雙向總線（例如，I 2 C、SMBus 和 LIN）在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中已變得無處不在，部分原因在于它們的簡單性。僅使用兩條線——數(shù)據(jù)線和時鐘線——多個設(shè)備就可以相互通信。根據(jù)I 2 C總線規(guī)范，多128個設(shè)備可以共享相同的數(shù)據(jù)和時鐘線；這是通過在每個設(shè)備上使用外部上拉電阻和開漏驅(qū)動器來實現(xiàn)的。如果沒有設(shè)...
2023-03-25
拆分 仲裁 雙向串行總線
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生成與模擬電壓的平方根成反比的脈沖寬度
盡管單穩(wěn)態(tài)僅需進行此修改即可發(fā)揮作用，但圖 1中IC 1、 IC 2和 IC 3的邏輯電路 增加了另一個功能。添加的邏輯可確保發(fā)生器忽略進入單穩(wěn)態(tài)繁忙狀態(tài)的下一個觸發(fā)脈沖。
2023-03-24
模擬電壓 平方根 脈沖寬度
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串聯(lián)連接的 MOSFET 可提高電壓和功率處理能力
當(dāng)電源驅(qū)動大容性負(fù)載時，浪涌電流如果不加以限制，對于高壓電源來說可以達到幾十或幾百安培。一般來說，電源的額定值可能會瞬態(tài)超過許多倍，但當(dāng)瞬態(tài)持續(xù)幾個交流線路周期時，這通常是可以接受的。這對于高達幾百微法的負(fù)載電容是典型的，但對于數(shù)千微法的負(fù)載電容，浪涌電流限制器是必須的。
2023-03-24
串聯(lián)連接 MOSFET 電壓
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串聯(lián)連接的 MOSFET 可提高電壓和功率處理能力
當(dāng)電源驅(qū)動大容性負(fù)載時，浪涌電流如果不加以限制，對于高壓電源來說可以達到幾十或幾百安培。一般來說，電源的額定值可能會瞬態(tài)超過許多倍，但當(dāng)瞬態(tài)持續(xù)幾個交流線路周期時，這通常是可以接受的。這對于高達幾百微法的負(fù)載電容是典型的，但對于數(shù)千微法的負(fù)載電容，浪涌電流限制器是必須的。
2023-03-24
串聯(lián)連接 MOSFET 電壓
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電源管理面臨五大趨勢，產(chǎn)業(yè)界都是如何應(yīng)對？
高效的電源管理包括增加電子設(shè)備的功率傳輸能力，同時最大限度地減少損耗并保持信號完整性。
2023-03-23
電源管理 功率傳輸
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