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陣列式瞬態(tài)電壓抑制器選型指南
TVS ARRAY 是一種快速抑制靜電的一種保護(hù)元件,它能以小于納秒級(jí)響應(yīng)速度將靜電、浪涌電壓限制箝位到一個(gè)安全的電壓范圍內(nèi)，以保護(hù)后面電路不受損壞。
2012-05-25
陣列式 瞬態(tài) 電壓抑制器 選型指南
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陶瓷氣體放電管選型指南
陶瓷氣體放電管選型指南
2012-05-24
陶瓷氣體放電管 選型指南
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瞬態(tài)電壓抑制二極管選型指南
TVS 是一種快速抑制浪涌過(guò)電壓的瞬態(tài)電壓抑制二極管保護(hù)元件，它也被稱(chēng)作TVP 或ABD。它能以皮秒級(jí)響應(yīng)速度將浪涌過(guò)電壓限制箝位到一個(gè)安全的電壓范圍內(nèi)，以保護(hù)后面電路不受損壞。
2012-05-24
瞬態(tài)電壓抑制二極管 TVS
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HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆變焊機(jī)的應(yīng)用評(píng)測(cè)
早期的逆變焊機(jī)中功率開(kāi)關(guān)器件采用晶閘管，逆變頻率為2--3KHz，變壓器鐵心采用硅鋼片，重量較大。本逆變焊機(jī)采用成啟半導(dǎo)體大功率MOSFET HS20N50，逆變頻率在100KHz以上，可以對(duì)熔滴過(guò)渡實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制。
2012-05-23
逆變焊機(jī) 成啟半導(dǎo)體 MOSFET HS20N50 HOMSEMI
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Lumex發(fā)布最新的QuasarBrite高溫表面組裝段數(shù)字LED顯示器技術(shù)
PALATINE, IL –Lumex 在全球發(fā)行其最新的 QuasarBrite 高溫表面組裝 (SMD) 七段數(shù)字 LED 顯示器 技術(shù)，該技術(shù)能夠提供在市場(chǎng)主導(dǎo)的溫度范圍內(nèi)（可高達(dá)105°C）的明亮清晰的顯示性能。作為能夠與無(wú)鉛錫焊相容的表面組裝技術(shù)，該技術(shù)不需要金屬化孔顯示器要求的額外焊接步驟，節(jié)省時(shí)間并減少要求的體力...
2012-05-23
LED 顯示器 監(jiān)護(hù)儀 顯示器
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君耀電子半導(dǎo)體放電管選型指南
TSS 晶閘體半導(dǎo)體放電管是一種并聯(lián)于線(xiàn)路中的開(kāi)關(guān)型過(guò)壓保護(hù)器件,平時(shí)處于開(kāi)路狀態(tài)，一當(dāng)有異常的過(guò)電壓脈沖，達(dá)到其擊穿電壓時(shí)，會(huì)迅速的由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，會(huì)把瞬間的浪涌電流旁路而泄放掉，由于負(fù)阻的效應(yīng)，而此時(shí)二端的電壓小于4V 以下，一當(dāng)異常電壓消失，立即恢復(fù)到高阻狀態(tài)。
2012-05-23
君耀電子 半導(dǎo)體 放電管
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本土分銷(xiāo)商轉(zhuǎn)型應(yīng)選擇適合的渠道模式
近年來(lái)，一方面國(guó)際分銷(xiāo)商在國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù)的滲透給本土分銷(xiāo)商帶來(lái)了直接競(jìng)爭(zhēng)；另一方面，受行業(yè)分銷(xiāo)利潤(rùn)趨薄、成本的上升，讓本土分銷(xiāo)商不得不調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)和方向，向增值服務(wù)“轉(zhuǎn)型”達(dá)到既為保證客戶(hù)滿(mǎn)意、下游渠道商滿(mǎn)意，還要保證公司的利潤(rùn)空間。
2012-05-23
分銷(xiāo)商 渠道模式
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Green Star Green World 中電華星
— 致力于為新能源客戶(hù)提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試系統(tǒng)解決方案長(zhǎng)期以來(lái)，中電華星一直致力于為電源客戶(hù)提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試系統(tǒng)解決方案。在與電力電子及相關(guān)行業(yè)長(zhǎng)期合作中，針對(duì)新能源行業(yè)深入調(diào)查和研究，現(xiàn)將各類(lèi)新能源產(chǎn)品測(cè)試方案提供給大家，給力新能源產(chǎn)業(yè)，共建綠地球。
2012-05-22
中電華星 新能源 測(cè)試系統(tǒng)
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷與開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
IGBT Power MOS 8 Microsemi
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