【導(dǎo)讀】三星宣布完成了基于 8nm生產(chǎn)工藝的射頻（RF） 技術(shù)的開發(fā)。這項(xiàng)尖端的代工技術(shù)有望提供“一個(gè)芯片解決方案”，尤其是通過支持多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)增強(qiáng) 5G 網(wǎng)絡(luò)通信。這項(xiàng) 8nm射頻平臺的推出將會進(jìn)一步鞏固三星在 5G 半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
三星的 8nm射頻工藝技術(shù)是對已廣泛應(yīng)用的射頻相關(guān)解決方案組合（包括 28nm和 14nm的射頻）的最新補(bǔ)充。自2017年以來，三星通過為高端智能手機(jī)出貨超過5億顆移動(dòng)射頻芯片，確立了其在射頻市場的領(lǐng)先地位。
三星電子代工技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)主管 Hyung Jin Lee 表示：“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們已經(jīng)加強(qiáng)了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。隨著 5G mmWave 的擴(kuò)大，三星的 8nm射頻將成為在緊湊型移動(dòng)設(shè)備上尋求長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶的絕佳解決方案”。
隨著持續(xù)擴(kuò)展到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，數(shù)字電路在性能、功耗和面積（PPA）方面有了明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線寬帶來的電阻增加。因此，大多數(shù)通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。
為了克服模擬/射頻擴(kuò)展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種 8nm射頻專用的獨(dú)特架構(gòu)，名為 RFextremeFET（RFeFET），可以在使用更少的功率的同時(shí)顯著改善射頻特性。與 14nm射頻相比，三星的 RFeFET 補(bǔ)充了數(shù)字 PPA 的擴(kuò)展，同時(shí)恢復(fù)了模擬/射頻的擴(kuò)展，從而實(shí)現(xiàn)了高性能5G平臺。
三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道流動(dòng)性，同時(shí)最大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能得到極大改善，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以減少。
與14nm的射頻技術(shù)相比，由于RFeFET架構(gòu)的創(chuàng)新，三星的8nm射頻工藝技術(shù)在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高 35%。
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